Принцип
Диаграммы Лауэ получают при облучении монокристаллов полихроматическим рентгеновским излучением. Этот метод в основном используется для определения симметрии и ориентации кристаллов. Когда монокристалл LiF облучают полихроматическим рентгеновским излучением, получается характерная дифракционная картина. В эксперименте этот образец фотографируется, а затем оценивается.
Задание
1. Запишите на пленке дифракцию Лауэ монокристалла LiF.
2. Соотнесите индексы Миллера соответствующих кристаллических поверхностей к отражениям Лауэ.
Получаем понятие о
• кристаллические решетки
• кристаллические системы
• классы кристаллов
• решетка Браве
• обратная решетка
• индексы Миллера
• амплитуда структуры
• атомный форм-фактор
• уравнение Брэгга
Наименование
Кат.номер
Количество
Название
Имя файла
Размер файла
Тип файла
Phywe::Template.sbindingTableCell6
(de) Versuchsbeschreibung
p2541601d .pdf
Размер файла 0.53 Mb
pdf
-
(de) Versuchsbeschreibung_docx
p2541601d .docx
Размер файла 0.53 Mb
docx
-
(en) Versuchsbeschreibung
p2541605_en .pdf
Размер файла 1.39 Mb
pdf
-
(ru) Versuchsbeschreibung
p2541605_ru .pdf
Размер файла 1.59 Mb
pdf
-
Бесплатная доставка от 300,- €