Рентгеновское изучение кристаллических структур / метод Лауэ

Кат.номер P2541605 | Тип: Эксперименты

45 Протокол
45 Протокол
10-13 классы , Университет
Студенты
большой сайт

Принцип

Диаграммы Лауэ получают при облучении монокристаллов полихроматическим рентгеновским излучением. Этот метод в основном используется для определения симметрии и ориентации кристаллов. Когда монокристалл LiF облучают полихроматическим рентгеновским излучением, получается характерная дифракционная картина. В эксперименте этот образец фотографируется, а затем оценивается.

Задание

1. Запишите на пленке дифракцию Лауэ монокристалла LiF.

2. Соотнесите индексы Миллера соответствующих кристаллических поверхностей к отражениям Лауэ.

Получаем понятие о

• кристаллические решетки

• кристаллические системы

• классы кристаллов

• решетка Браве

• обратная решетка

• индексы Миллера

• амплитуда структуры

• атомный форм-фактор

• уравнение Брэгга

Название
Имя файла
Размер файла
Тип файла
Phywe::Template.sbindingTableCell6
(de) Versuchsbeschreibung
p2541601d .pdf
Размер файла 0.53 Mb
pdf
-
(de) Versuchsbeschreibung_docx
p2541601d .docx
Размер файла 0.53 Mb
docx
-
(en) Versuchsbeschreibung
p2541605_en .pdf
Размер файла 1.39 Mb
pdf
-
(ru) Versuchsbeschreibung
p2541605_ru .pdf
Размер файла 1.59 Mb
pdf
-
Бесплатная доставка от 300,- €