setTimeout(function(){ window.print(); },500)
 

Технические характеристики


Рентгеновское изучение кристаллических структур / метод Лауэ

Кат.номер: P2541605

Принцип

Диаграммы Лауэ получают при облучении монокристаллов полихроматическим рентгеновским излучением. Этот метод в основном используется для определения симметрии и ориентации кристаллов. Когда монокристалл LiF облучают полихроматическим рентгеновским излучением, получается характерная дифракционная картина. В эксперименте этот образец фотографируется, а затем оценивается.

Задание

1. Запишите на пленке дифракцию Лауэ монокристалла LiF.

2. Соотнесите индексы Миллера соответствующих кристаллических поверхностей к отражениям Лауэ.

Получаем понятие о

• кристаллические решетки

• кристаллические системы

• классы кристаллов

• решетка Браве

• обратная решетка

• индексы Миллера

• амплитуда структуры

• атомный форм-фактор

• уравнение Брэгга

Объём поставки

XR 4.0 X-ray Базовая рентгеновская установка, 35 кВ 09057-99 1
XR4 Съёмная рентгеновская трубка Plug-in Cu tube 09057-51 1
XR 4.0 Рентгеноструктурный анализ, расширение 09145-88 1

PHYWE Systeme GmbH & Co. KG
Robert-Bosch-Breite 10 – 37079 Göttingen – Deutschland
www.phywe.com