Построение характеристических кривых полупроводниковс CobraSMARTsense

Принцип

Измеряется вольт-амперная характеристика полупроводникового диода.
Измеряется сила тока коллектора в зависимости от напряжения эмиттер-коллектор при различных значениях силы тока базы через NPN-транзистор.

Преимущества

• Быстрое и простое экспериментирование
• Изучение поведения нескольких типов полупроводников
• Простое выполнение: все предварительные настройки уже подготовлены
• Регистрация данных показывает мгновенные результаты во время измерения

Задание

1. Исследуйте зависимость силы тока, протекающего через полупроводниковый диод.
2. Определите изменения тока коллектора с напряжением коллектора для различных значений интенсивности тока базы.

Получаем понятие о:

• полупроводник
• р-п переход
• диаграмма энергетической зоны
• акцепторы
• доноры
• валентная группа
• зона проводимости