Transistor NPN (BC337), DB

Funktion und Verwendung

Für Demonstrationsversuche zur Elektrik.

Ausstattung und technische Daten

• Silicium-Epitaxial-NF-Transistor.
• Bausteingröße (mm): 82 x 82.
• Kontaktsicherheit durch Puzzleverzahnung.
• Linienbreite: 4 mm.
• Durchmesser der Kontaktfläche: 2 mm.
• Widerstand eines Kontaktes: ca. 0,02 Ohm.
• Max. Stromstärke: 2 A, kurzzeitig 5 A.
• Spannung U_CEO: 45 V.
• Stromstärke I_B: 100 mA.
• Leistung P: 0,5 W.